اندازه گیری نامتقارنی امپدانس مغناطیسی بزرگ آلیاژ آمورف کبالت پایه در بایاس dc

حسگرهای مغناطیسی بر مبنای اثر امپدانس مغناطیسی mi (تغییر امپدانس الکتریکی یک رسانای مغناطیسی تحت اعمال میدان مغناطیسی خارجی) امروزه قابلیت خود را در عرصه فناوری نشان داده¬اند. مناسب¬ترین مواد برای کاربرد در اثر امپدانس مغناطیسی، مواد مغناطیسی نرم همانند آلیاژهای آمورف و مواد مغناطیسی نانو بلور هستند. جهت دست¬یابی به پاسخ امپدانسی مناسب¬تر به¬وسیله آلیاژهای آمورف، روش¬های گوناگونی وجود دارد که در اینجا روش بازپخت مواد مورد نظر ماست. در این پایان¬نامه بازپخت جریانی روی نمونه انجام گرفته است و با اعمال جریان مستقیم، نامتقارنی امپدانس مغناطیسی بزرگ نمونه¬های بازپخت شده در بایاس dc اندازه¬گیری شده است. نتایج این پایان¬نامه نشان می¬دهد که اعمال جریان الکتریکی در بایاس dc باعث افزایش امپدانس مغناطیسی در همه نمونه¬های بازپختی می¬شود. این افزایش بیانگر این مطلب است که این جریان باعث اصلاح و افزایش ناهمسانگردی مغناطیسی در نمونه می¬شود. نامتقارنی بایاس dc از ترکیب ناهمسانگردی مغناطیسی عرضی و حلقوی پیرامونی با میدان dc پیرامونی تولید شده به وسیله جریان بایاس ایجاد می¬شود. این برهم کنش می¬تواند باعث افزایش یک قله و کاهش قله دیگر در منحنی امپدانس مغناطیسی و بنابراین افزایش یا کاهش ناهمسانگردی شود. تغییر ناهمسانگردی، نمونه را برای کاربرد حسگری مناسب می¬سازد.